陶瓷靶材在现有的芜杂电子产品制造中，只不过占工程的极少局部，但起到了信息工业基础先导材料的效果。我国电子信息工业展开很快，陶瓷溅射靶材的需求逐年增多，将来对陶瓷溅射靶材的研讨和开发，是我国靶材供给商的一个重要的课题。

跟着电子工业的展开，高技术材料逐渐向薄膜转移，镀膜时期随之展开迅速，靶材是一种具有高附加值的特种电子材料，是溅射薄膜材料的源极。陶瓷靶材作爲非金属薄膜工业展开的基础材料，已失掉绝后的展开，靶材市场规模日益胀大。国际的陶瓷立体靶材首要选用烧结及绑定工艺，可消费较大长度600mm，较大宽度400mmm，较大厚度30mm，圆角、斜边、台阶等异形根据客户要求加工。

陶瓷靶材的特性要求：

(1)纯度：陶瓷靶材的纯度对溅射薄膜的功用影响很大，纯度越高，溅射薄膜的平均性和批量产品的质量的分歧性越好。几年来，跟着微电子工业的展开，对成膜面积的薄膜平均性要求十分严峻，其纯度有必要大于4N。立体显现用的ITO靶材In2O3和Sn2O3的纯度都大于4N。

(2)密度：爲了增添陶瓷靶材的气孔，提高薄膜功用，要求溅射陶瓷靶材具有高密度。靶材越密实，溅射颗粒的密度月底，放电现场就越弱，薄膜的功用也越好。

(3)成分与构造平均性：爲确保溅射薄膜平均，尤特在芜杂的大面积镀膜运用中，有必要做到靶材成分与构造平均性好。

溅射陶瓷靶材的制备，常用的成型方法有干压成型、冷等静压成型等。冷等静压成型由于具有坯体密度高并且平均，磨具制造方便，本钱较低一级优点，故而成爲较常用的成型方法。陶瓷靶材的烧结常选用常压烧结、热压烧结及氛围烧结等方法。